Результаты поиска "NS-F500"
Интерфейс: PCIe 3.0×4, NVMe 1.3. Форм-фактор: M.2 2280. Емкость накопителя: 500 Гб. Скорость последовательного чтения: не менее 2300 Мбайт/с. Скорость последовательной записи: не менее 1500 Мбайт/с. Наработка на отказ (MTBF): 1,5 млн. час.
Емкость 500 ГБ. Форм-фактор 2242. Интерфейсы SATA 6Gb/s Разъем: M.2. Тип разъема M.2 2242, B&M.Скорость чтения 530 МБ/с. Скорость записи 480 МБ/с. Время наработки на отказ 2000000 ч. Суммарное число записываемых байтов (TBW) 180 ТБ.
Ёмкость 500 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe Gen3 x4. Память 3D NAND. Скорость последовательного чтения до 3350 МБ/с / записи до 2450 МБ/с. MTBF 2 млн. ч. TBW 300 ТБ. Радиатор.
500 Вт, 80+, EPS12V, APFC, 20 + 4 pin, 4+4 pin CPU, 6 SATA, 6+2 pin x2 PCI-E.
Внутренний. Объём: 500 ГБ. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: M.2 (SATA). Пропускная способность: SATA-3 (до 6 Гбит/с). Ключ (для M.2): B+M. Тип флеш-памяти: 3D TLC. SLC-кеширование. Скорость чтения: 530 МБ/с. Скорость записи: 480 МБ/с.
Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe 4.0×4 NVMe. Емкость: 500 ГБ. Последовательное чтение/запись: 3500/2100 МБ/с. Ресурс (Суммарное число записываемых байтов):160 ТБ.
Емкость: 500 ГБ. Форм фактор: M.2 2280. NAND флэш: 3D NAND. Интерфейс: PCIe Gen4 x4. Скорость чтения/записи (макс.): 3500/2200 МБ/с. Ресурс TBW: 300 ТБ. NVMe 1.4. SLC кэширование. AES 256 бит. LDPC. Поддержка последних платформ Intel и AMD.
Объем накопителя: 500 ГБ. Форм-фактор: 2280. Физический интерфейс: PCI-E 4.0 x4. Ключ M.2 разъема: M. NVMe. Кол-во бит на ячейку: 3 бит TLC. Структура памяти: 3D NAND. Макс. скорость последовательного чтения: 3500 Мбайт/сек. Макс. скорость последоват...
Назначение: внутренний. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Поддержка NVMe 1.3. Объём накопителя: 500 Гб. Контроллер: PHISON E13T. Скорость чтения: 2200 МБ/сек. Скорость записи: 1150 МБ/сек.
Назначение: внешний. Интерфейс: USB Type-C. Объём накопителя: 500 Гб. Скорость чтения: 550 Мб/сек. Скорость записи: 480 Мб/сек. Сканер отпечатка пальца. Материал корпуса: алюминиевый сплав.
Объем накопителя: 500 ГБ. Форм-фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCI-E 3.0. Разъем: M.2. Тип памяти NAND: 3D NAND. Поддержка NVMe. Максимальная скорость чтения: 3400 МБ/сек. Максимальная скорость записи: 3000 МБ/сек. Толщина: 3,5 мм.
Емкость 500 Гб. Форм-фактор M.2 2280. NAND-флэш: 3D NAND. Интерфейс PCIe Gen3x4. Скорость последовательного чтения до 2500 МБ/с. Скорость последовательной записи до 1800 МБ/сs. СВБР: 2 000 000 часов.
Сверхкомпактный и легкий ИБП для домашнего использования, обеспечивает надежную защиту персональных компьютеров, сетевых коммутаторов, модемов, роутеров и сетевых хранилищ данных.
Емкость: 500 ГБ. Форм фактор: 2.5". Интерфейс: SATA III. Flash память 3D. Скорость чтения/записи: до 530/480 МБ/сек. Ресурс перезаписи TBW: 180 ТБ. Команды TRIM & NCQ. S.M.A.R.T. Расширенный сбор мусора. Режим DevSleep. RAID Engine. LDPC кодирование.
Внутренний SSD, M.2, 500 Гб, PCI-E x4, NVMe, чтение 3100 Мб/сек, запись 2100 Мб/сек.
Емкость 500 Гб. Форм-фактор 2.5". Интерфейс SATA III 6 Гбит/с. Память типа QLC. Последовательное чтение/запись до 550/500 МБ/с. Среднее время наработки на отказ (MTBF) 2 млн. часов / 100 TBW. Команды TRIM & NCQ. S.M.A.R.T. Расширенный сбор мусора. Ре...
Назначение: для ноутбука и настольного компьютера. Форм-фактор: M.2 2280. Емкость: 500 Гб. Скорость чтения: 3500 Мб/сек. Скорость записи: 3000 Мб/сек. Интерфейс подключения: PCIe Gen3×4.