Результаты поиска "CODE 49 M-AUDIO"
Объем накопителя: 2048 ГБ. Скорости: чтения до 3000 МБ/с, записи до 2000 МБ/с. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Тип памяти: 3D. Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.25 мм; разъем M.2. Особенности: поддержка NVMe.
Объем накопителя: 512 ГБ. Скорости: чтения до 2000 МБ/с, записи до 1600 МБ/с. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Тип памяти: 3D. Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.1 мм; разъем M.2. Особенности: поддержка NVMe.
Объем накопителя: 1024 ГБ. Скорости: чтения до 2000 МБ/с, записи до 1600 МБ/с. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Тип памяти: 3D. Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.1 мм; разъем M.2. Особенности: поддержка NVMe.
Ёмкость 1TB. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe Gen5 x4. Контроллер новейший контроллер PCIe Gen5 x4. Скорость последовательного чтения (CDM) до 12 400MB/s. Скорость последовательной записи (CDM) до 11 800MB/s. Ресурс TBW 1TB: 700 TB. Поддержка ОС...
Интерфейс M.2 2280. Канал PCIe Gen 4x4. Емкость 1 ТБ. Последующее чтение (МБ /с) до 7200. Последующая запись (Мбит /с) до 5500. TBW 700. Флэш-память NAND3D-NAND-вспышка. Рабочая температура 0℃-70℃. Температура хранения -40℃-85℃. Размер 23.5 х 80 х 11...
Форм-фактор M.2. Размер M.2 2280. Интерфейс PCI-E 4.0 x4. Поддержка NVMe 1.4. Объём накопителя 2000 Гб. Скорость чтения 3500 МБ/сек. Скорость записи 2800 МБ/сек. Ресурс перезаписи (TBW) 1200 ТБ. Время наработки на отказ 1500000 ч.
Емкость: 2 ТБ. Форм фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe Gen 4.0 × 4. Тип флеш памяти: 3D NAND. Макс. скорость чтения/записи: 7200/6400 Мб/с. TBW: 1200 ТБ. Размеры: 80 × 22 × 2.25 мм. Вес: 8г. Поддержка NVMe1.4, 4K LDPC, S.M.A.R.T., TRIM, Сборка мусора
Емкость: 1 ТБ. Форм фактор: M.2 2280. Интерфейс: PCIe Gen 4.0 × 4. Тип флеш памяти: 3D NAND. Макс. скорость чтения/записи: 6290/5680 Мб/с. TBW: 600 ТБ. Размеры: 80 × 22 × 2.25 мм. Вес: 8г. Поддержка NVMe1.4, 4K LDPC, S.M.A.R.T., TRIM, Сборка мусора
Ёмкость 2 ТБ. Форм фактор M.2 2230. Интерфейс PCIe 4.0x4. Разработан специально для игровых консолей. Совместимость с ROG Ally и Steam Deck. Скорость чтения/записи до 5000/3500 МБ/с. Ресурс TBW 450 ТБ. Встроенный термодатчик. Thermal Throttling.
Внутренний, M.2, 1000 Гб, PCI-E 4.0 x4, NVMe, чтение: 7000 МБ/сек, запись: 6000 МБ/сек, 2280.
Интерфейс PCI-E 3.0 x4. Объем 1024 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Разъем M.2. Максимальная скорость чтения 2000 МБ/с. Максимальная скорость записи 1600 МБ/с. Время наработки на отказ 1500000 ч.
Интерфейс PCI-E 3.0 x4. Объем накопителя 2048 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Разъем M.2. Максимальная скорость чтения 3000 МБ/с. Максимальная скорость записи 2000 МБ/с. Время наработки на отказ 1500000 ч. Тип памяти NAND: 3D.
Объем накопителя 2048 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe 4.0 x4. Разъем M.2. Тип памяти NAND 3D. Поддержка NVMe. Максимальная скорость чтения 5000 МБ/с. Максимальная скорость записи 4500 МБ/с.
Объем накопителя 1024 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe 4.0 x4. Разъем M.2. Тип памяти NAND 3D. Поддержка NVMe. Максимальная скорость чтения 4500 МБ/с. Максимальная скорость записи 2700 МБ/с. Ресурс TBW 320 ТБ. Время наработки н
Объем накопителя 2048 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe 4.0 x4. Разъем M.2. Тип памяти NAND 3D. Поддержка NVMe. Максимальная скорость чтения 5000 МБ/с. Максимальная скорость записи 4500 МБ/с.