Внутренние твердотельные накопители SSD
Интерфес: SATA, чтение: 460 Мбайт/сек, запись: 360 Мбайт/сек, 3D NAND 3 бит TLC.
Внутренний, M.2, 1000 Гб, PCI-E 4.0 x4, NVMe, чтение: 7000 МБ/сек, запись: 6000 МБ/сек, 2280.
Емкость 960 ГБ. Интерфейс SATA III. Вспышка NAND 3D NAND. Показания производительности (макс.) 960 ГБ\ 500 МБ /с. Производительность записи (макс.) 960 ГБ\ 450 МБ / с. Рабочее напряжение 5 В. НАРАБОТКА на ОТКАЗ (est) 1 500 000 часов работы.
Объем 256 гб. Ресурс SSD (TBW) 512. Макс. Скорость чтения 3200 Мб/с. Макс. Скорость записи 2200 Мб/с. Память TLC 3D NAND. Интерфейс SSD PCI-E 3.0.
PCI-E 4.0 x4, чтение: 6200 Мбайт/сек, запись: 2300 Мбайт/сек, 3 бит TLC, NVM Express.
Объем 128 ГБ. Форм-фактор 2.5". Интерфейс SATA III. Максимальная скорость чтения 550 МБ/с. Максимальная скорость записи 480 МБ/с. Ресурс TBW 60 ТБ.
Ёмкость 1TB . Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe 4.0x4. Скорость последовательного чтения (CDM) до 7400MB/s. Скорость последовательной записи (CDM) до 6400MB/s. Скорость последовательного чтения (PS5) до 6100MB/s. Встроенный термодатчик.
Назначение: внутренний. Форм-фактор: M.2. Размер M.2: 2280. Интерфейс: PCI-E 4.0×4. Поддержка NVMe: да, 2.0. Объём накопителя: 2 Тб. Скорость чтения: 7400 МБ/сек. Скорость записи: 6000 МБ/сек.
Объем 128 ГБ. Форм-фактор 2.5". Интерфейс SATA III.Тип памяти NAND 3D TLC. Максимальная скорость чтения 500 МБ/с. Максимальная скорость записи 430 МБ/с. Ресурс TBW 60 ТБ.
Интерфейс SATA III. Объем накопителя 2048 ГБ. Форм-фактор 2.5"Разъем SATA. Максимальная скорость чтения 500 МБ/с. Максимальная скорость записи 450 МБ/с. Время наработки на отказ 1500000 ч. Тип памяти NAND 3D.
Интерфейс SATA III. Объем накопителя 4096 ГБ. Форм-фактор 2.5". Разъем SATA. Максимальная скорость чтения 500 МБ/с. Максимальная скорость записи 440 МБ/с. Время наработки на отказ 1500000 ч. Тип памяти NAND: 3D.
Интерфейс PCI-E 3.0 x4. Объем 1024 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Разъем M.2. Максимальная скорость чтения 2000 МБ/с. Максимальная скорость записи 1600 МБ/с. Время наработки на отказ 1500000 ч.
Интерфейс PCI-E 3.0 x4. Объем накопителя 2048 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Разъем M.2. Максимальная скорость чтения 3000 МБ/с. Максимальная скорость записи 2000 МБ/с. Время наработки на отказ 1500000 ч. Тип памяти NAND: 3D.
Объем накопителя 2048 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe 4.0 x4. Разъем M.2. Тип памяти NAND 3D. Поддержка NVMe. Максимальная скорость чтения 5000 МБ/с. Максимальная скорость записи 4500 МБ/с.
Интерфейс PCI-E 3.0 x4. Объем накопителя 512 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Разъем M.2. Максимальная скорость чтения 2000 МБ/с. Максимальная скорость записи 1600 МБ/с. Время наработки на отказ 1500000 ч. Тип памяти NAND: 3D.
Объем накопителя 1024 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe 4.0 x4. Разъем M.2. Тип памяти NAND 3D. Поддержка NVMe. Максимальная скорость чтения 4500 МБ/с. Максимальная скорость записи 2700 МБ/с. Ресурс TBW 320 ТБ. Время наработки н
Объем накопителя 2048 ГБ. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe 4.0 x4. Разъем M.2. Тип памяти NAND 3D. Поддержка NVMe. Максимальная скорость чтения 5000 МБ/с. Максимальная скорость записи 4500 МБ/с.