Результаты поиска "LAS855M"
Ёмкость 120 Гб. Формат M.2 Type 2280 B&M Key. Интерфейс SATA. Скорость чтения до 560 Мб/сек, записи до 540 Мб/сек. Контроллер AS2258. Чипы 3D TLC (Triple Level Cell). Ресурс 160 TBW. MTBF 1.5 млн. часов. Рабочая температура 0 ~ 70 °C.
№: 533009
Сверхкомпактный твердотельный накопитель Transcend MTS420 в форм-факторе M.2 создан на основе технологии 3D NAND, оснащен интерфейсом SATA III 6 Гбит/с, отлично подходит для оснащения высокопроизводительных систем и может быть установлен даже в наибо...
№: 1033877
Объем: 250 Гб. Форм-фактор: M.2. Интерфейс: PCI-E x4. Поддержка NVMe 1.4. Скорость чтения/записи: 3500/2600 Мб/сек. Контроллер: Phison E19T. Ресурс: 300 TBW. Размер: 22×80 мм.
№: 1026311
Форм-фактор M2 NVMe (2280 M). Емкость 512 ГБ. Интерфейс PCI express Gen3x4. Контроллер SM2263XT. Скорость чтения/записи 2500 MБ/с / 1900 МБ/с. TBW 400TB. Поддержка технологии GC (Garbage Collection) для макс. производительности (Алгоритм автоматическ
Особенности: ZOOM точная регулировка размера. Вентиляция: 20 входных и 11 выходных отверстий. Съемная подкладка шлема
Форм-фактор M.2. Размер M.2 2280. Интерфейс PCI-E 5.0 x4. Поддержка NVMe. Объём накопителя 2048 Гб. Тип флэш-памяти TLC. Скорость чтения 12400 МБ/сек. Скорость записи 11800 МБ/сек. Ресурс перезаписи (TBW) 1400 ТБ. Время наработки на отказ 1600000 ч...
Форм-фактор M.2. Размер M.2 2280. Интерфейс PCI-E 5.0 x4. Поддержка NVMe. Объём накопителя 2048 Гб. Тип флэш-памяти TLC. Скорость чтения 12400 МБ/сек. Скорость записи 11800 МБ/сек. Ресурс перезаписи (TBW) 1400 ТБ. Время наработки на отказ 1600000 ч. ...
Объем: 2000 ГБ, PCI-E 4.0 x4, чтение: 5000 Мбайт/сек, запись: 4200 Мбайт/сек, NVM Express. Алюминиевый радиатор. Совместим с PlayStation 5.
Объем накопителя: 1024 ГБ. Скорости: чтения до 4500 МБ/с, записи до 2700 МБ/с. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Тип памяти: 3D. Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.1 мм; разъем M.2. Особенности: поддержка NVMe.
Объем накопителя: 512 ГБ. Скорости: чтения до 2400 МБ/с, записи до 1400 МБ/с. Интерфейс: PCIe 4.0 x4. Тип памяти: 3D. Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.1 мм; разъем M.2. Особенности: поддержка NVMe.
Объем накопителя: 2048 ГБ. Скорости: чтения до 3000 МБ/с, записи до 2000 МБ/с. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Тип памяти: 3D. Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.25 мм; разъем M.2. Особенности: поддержка NVMe.
Объем накопителя: 512 ГБ. Скорости: чтения до 2000 МБ/с, записи до 1600 МБ/с. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Тип памяти: 3D. Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.1 мм; разъем M.2. Особенности: поддержка NVMe.
Объем накопителя: 1024 ГБ. Скорости: чтения до 2000 МБ/с, записи до 1600 МБ/с. Интерфейс: PCIe 3.0 x4. Тип памяти: 3D. Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.1 мм; разъем M.2. Особенности: поддержка NVMe.
Ёмкость 1TB. Форм-фактор M.2 2280. Интерфейс PCIe Gen5 x4. Контроллер новейший контроллер PCIe Gen5 x4. Скорость последовательного чтения (CDM) до 12 400MB/s. Скорость последовательной записи (CDM) до 11 800MB/s. Ресурс TBW 1TB: 700 TB. Поддержка ОС...